產品規格
概覽
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應用
個人電腦、遊戲主機等
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容量
1,000GB / 2,00GB / 4,000GB (1GB=1,000,000,000 bytes)
* 一部分容量用於系統文件和維護用途，實際容量可能與產品標示不同
產品特色
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應用
個人電腦、遊戲主機等
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容量
1,000GB / 2,00GB / 4,000GB (1GB=1,000,000,000 bytes)
* 一部分容量用於系統文件和維護用途，實際容量可能與產品標示不同 -
類型
M.2 (2280)
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介面
PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
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實體規格 ( 寬 X 長 X 高 )
約 80.15 x 22.15 x 2.38 mm
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重量
約 9.0g
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Storage Memory
Samsung V-NAND TLC
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控制晶片
三星內部控制器
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快取記憶體
Samsung 1GB Low Power DDR4X SDRAM ( 1,000GB )
Samsung 2GB Low Power DDR4X SDRAM ( 2,000GB )
Samsung 4GB Low Power DDR4X SDRAM ( 4,000GB )
獨特功能
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TRIM Support
TRIM 支援
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S.M.A.R.T Support
S.M.A.R.T 支援
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垃圾回收
垃圾自動回收演算法
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資料加密
AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (加密驅動器)
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全球通用名稱 (World Wide Name)
不支援
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睡眠模式
支援
效能
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連續讀取速度
最高 14,700 MB/s ( 1,000GB / 2,000GB )
最高 14,800 MB/s ( 1,000GB / 2,000GB / 4,000GB )
* 效能可能因系統硬體配置而異 -
連續寫入速度
最高 13,300 MB/s ( 1,000GB / 2,000GB / 4,000GB )
最高 13,400 MB/s ( 2,000GB / 4,000GB )
* 效能可能因系統硬體配置而異 -
隨機讀取速度
最高 1,850,000 IOPS ( 1,000GB / 2,000GB )
最高 2,200,000 IOPS ( 1,000GB / 2,000GB / 4,000GB )
* 效能可能因系統硬體配置而異 -
隨機寫入速度
最高 2,600,000 IOPS ( 1,000GB / 2,000GB / 4,000GB )
* 效能可能因系統硬體配置而異
防護技術
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平均功率消耗
平均: 讀 7.6 W / 寫 7.2 W ( 1,000GB )
平均: 讀 8.1 W / 寫 7.9 W ( 2,000GB )
平均: 讀 9.0 W / 寫 8.2 W ( 4,000GB )
* 實際功率消耗可能因系統硬體配置而異 -
功率消耗 (閒置模式)
一般 4.0 mW ( 1,000GB )
一般 4.8 mW ( 2,000GB )
一般 6.5 mW ( 4,000GB )
* 實際功率消耗可能因系統硬體配置而異 -
功率消耗 (睡眠模式)
一般 3.3 mW ( 1,000GB )
一般 4.0 mW ( 2,000GB )
一般 5.7 mW ( 4,000GB )
* 實際功率消耗可能因系統硬體配置而異 -
允許電壓
3.3 V ± 5 %
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可靠性 (MTBF)
1.5 百萬小時
* MTBF：平均故障間隔 (平均連續無故障時間) -
作業溫度
0 - 70 ℃
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抗震
1,500 G & 0.5 ms (Half sine)
軟體
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管理軟體
管理魔術師軟體